你对第三代半导体明星材料“氮化镓”了解多少
来源：立深鑫电子 发布时间：12-31 点击：
摘要 : 氮化镓材料的应用是目前半导体研究的前沿与热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。
手机能够给人们带来生活与工作的便利，但电量却越来越不够用了，每天一充甚至每日多充的问题困扰着人们。纵观行业的发展史我们能够观察到手机电池的容量也在随着行业发展不断地增加。
随着手机电池容量增大，充电速度也相应变慢，想要解决手机电量问题，有线快充的技术发展就成为了那一根救命稻草，用最短的时间，充最多的电量。
近两年我们时常能够听到一个名词，那就是“氮化镓”。
什么是氮化镓
氮化镓（gallium nitride）是一种无机物，化学式为GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。
氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。
关于氮化镓
GaN材料的应用是目前半导体研究的前沿与热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。
它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。
氮化镓的前景
半导体作为科技发展的核心之一，自然是各国发展科技的重中之重。《中国制造2025》是国务院于2015年印发的部署全面推进实施制造强国的战略文件，也是我国实施制造强国战略的第一个十年的行动纲领。
其中就多次提及到了以氮化镓为代表的第三代半导体功率器件。在未来，氮化镓这种新型半导体材料会不断的扩充应用范围，也是趋势所在。
