VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（0.1μA左右），还具有耐压高。

根据场效应MOS管管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等

各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是ＰＮ结，Ｎ沟道管栅极不能加正偏压；Ｐ沟道管栅极不能加负偏压，等等。

电子元器件，是通信、计算机及网络、数字音视频等系统和终端产品发展的基础。我国电子信息产业迅速发展，电子元器件行业进入快速发展阶段，国家对行业的重视度不断加大。电子元器件上游包括磁性材料、半导体材料等，下游的终端产品市场包括消费电子、通讯设备、汽车电子等。

工程师要想保证设计可靠，必须要在NMOS栅极和PMOS栅极添加上拉电阻，同时系统也要安全防护。但是如果忽略电阻开路的问题，就会使原本作为保护者的上拉电阻变成MOS管过热的杀手。