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新闻资讯

  • 杰华特能否通过第三代半导体实现“弯道超车” 11-05

    半导体业绩保持高速增长,行业景气在延续。经过几个月的深度调整,半导体板块调整充分,上半年过快上涨的高估值压力,也得到了一定程度的消化。有市场人士分析,第三代半导体今日表现突出,主要是在“十四五”规划出台之前

  • ESD静电防护注意事项 11-04

    雷电及开关电源均会引起浪涌。雷电通过电源线、天线、电话线等途径对电器设备产生冲击,这种冲击就是浪涌。浪涌是电路中瞬间出现的一种高电压和高电流,在电路中通常持续约百万分之一秒。但是由于雷电产生的浪涌可以在大约1微秒的瞬间产生几千伏的瞬间高电压

  • ESD保护二极管选型指南 11-04

    提及“ESD保护二极管”之前,有必要对ESD进行讲解一番。ESD的意思是“静电释放”。ESD是20世纪中期以来形成的以研究静电的产生、危害及静电防护等的学科。因此,国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD,中文名称为静电抗阻器。

  • 无人搬运车供电系统中MOS管的应用 11-03

    虽然中小型机器人公司仍在面临海外市场萎缩和跨境施工的挑战,但是无人搬运车的头部企业却实现了企业销售额的成倍增长,除了“马太效应”的影响,还有疫情造成的劳动力短缺和安全因素,在物流仓储等领域的表现更为突出。

  • VMOS管的检测方法 11-03

    VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W)、驱动电流小(0.1μA左右),还具有耐压高。