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  • 电子元器件电路应用设计之场效应晶体管 01-06

    场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^7~10^12Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点

  • 电子元器件电路应用设计之二极管 01-06

    二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode),另外,还有早期的真空电子二极管;它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的转导性。

  • 三极管稳压电路仿真分析 01-05

    Z1的负极连接到三极管的基极,三极管发射极E是输出,形成了一个射极跟随器,也就是说,E极的电压随着B电压变化而变化,但BE之间有一个压降,一般硅管0.7V左右,假设B极是6.7V,那E极就是6.7-0.7=6V,所以就有一个公式VOUT=Vz-Vbe,可以根据VOUT来选择合适的稳压管。

  • 基于OP运放的高精度AC-DC转换电路 01-05

    OP运放也称运算放大器,是一个内含多级放大电路的电子集成电路,其输入级是差分放大电路,具有高输入电阻和抑制零点漂移能力;中间级主要进行电压放大,具有高电压放大倍数,一般由共射极放大电路构成;输出极与负载相连,具有带载能力强、低输出电阻特点。

  • MOS管驱动电路“开挂”方法 01-04

    当使用5V电源,这时候如果使用传统的图腾柱結构,由于三极管的be有0.7V左右的压降,导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候,我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。同样的问题也发生在使用3V或耆其他低压电源的场合