可控硅的学名叫晶闸管，用SCR代表它。其中，晶闸管里面又分为单相晶闸管和双向晶闸管。单相晶闸管结构为门极（G）表示，阴极（K）表示，阳极（A）表示。而双向晶闸管除控制极用G表示，另外的两个极分别为T1、T2表示。

Mos是电压驱动型器件，只要栅极和源级间给一个适当电压，源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为Mos内阻，就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了Mos芯片能承受的最大导通电流（当然和其它因素有关，最有关的是热阻），内阻越小承受电流越大（因为发热小）。

DC/DC转换器的优点是效率高、可以输出大电流、静态电流小。随著集成度的提高，许多新型DC/DC转换器仅需要几只外接电感器和滤波电容器。但是，这类电源控制器的输出脉动和开关噪音较大、成本相对较高。

静电放电ESD是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力破坏的主要元凶。因为静电通常瞬间电压非常高,可达到几千伏)，所以这种损伤是毁灭性和永久性的，会造成电路直接烧毁。所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题。

其中也有电机、灯泡等可以用交流电压驱动的产品，但电机与微控制器的控制电路连在一起，灯泡也变成节能LED，因此有必要进行ACDC转换。