MOS管和三级管在功能上究竟有何区别？两种元件本身都是属于基本单元，相似的外表，独立的器件，如果用肉眼观察的话很难找出两者之间的区别，从工作原理上又发现两者的工作原理晦涩难懂，这次立深鑫就用一个简单的例子来给大家分享一下二者在功能上的区别。

肖特基二极管是以其发明人肖特基博士命名的，SBD是肖特基势垒二极管。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属——半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属——半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

瞬态抑制二极管操作方式如下：正向浪涌时，瞬态抑制二极管处于反向雪崩击穿状态；反向浪涌时，瞬态抑制二极管类似正向偏置二极管一样导通并吸收浪涌能量。此时需要参考瞬态抑制二极管的正向导通峰值电流，IFSM。

TVS二极管又称为瞬态抑制二极管，是普遍使用的一种新型高效电路保护器件，它具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的浪涌吸收能力。