肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

瞬态抑制二极管操作方式如下：正向浪涌时，瞬态抑制二极管处于反向雪崩击穿状态；反向浪涌时，瞬态抑制二极管类似正向偏置二极管一样导通并吸收浪涌能量。此时需要参考瞬态抑制二极管的正向导通峰值电流，IFSM。

TVS二极管又称为瞬态抑制二极管，是普遍使用的一种新型高效电路保护器件，它具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的浪涌吸收能力。

TVS二极管的响应时间可以达到ps级，是限压型浪涌保护器件中最快的。用于电子电路的过电压保护时其响应速度都可满足要求。 TVS二极管的结电容根据制造工艺的不同，大体可分为两种类型，

稳压二极管的功率一般不是很大，常见的稳压二极管有1W、2W等，它的功率由它所允许的温升决定；对于TVS二极管，它讲究的是瞬时脉冲功率，这个功率值很高，能达到上千瓦，只是这个时间值维持很小。