肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。
瞬态抑制二极管操作方式如下:正向浪涌时,瞬态抑制二极管处于反向雪崩击穿状态;反向浪涌时,瞬态抑制二极管类似正向偏置二极管一样导通并吸收浪涌能量。此时需要参考瞬态抑制二极管的正向导通峰值电流,IFSM。
TVS二极管又称为瞬态抑制二极管,是普遍使用的一种新型高效电路保护器件,它具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力。
TVS二极管的响应时间可以达到ps级,是限压型浪涌保护器件中最快的。用于电子电路的过电压保护时其响应速度都可满足要求。 TVS二极管的结电容根据制造工艺的不同,大体可分为两种类型,
稳压二极管的功率一般不是很大,常见的稳压二极管有1W、2W等,它的功率由它所允许的温升决定;对于TVS二极管,它讲究的是瞬时脉冲功率,这个功率值很高,能达到上千瓦,只是这个时间值维持很小。