MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）主要用于开关应用中，具有高电压和高电流的特点。它们具有更高的效率和更优良的高速开关能力，因此成为电源设计中的最佳选择。我们来看一些筛选标准，以便为电力电子解决方案选择合适的MOSFET。

在电源电子电路设计中存在一些不稳定因素，而设计用来防止此类不稳定因素影响电路效果的回路称作保护电路。比如有过流保护、过压保护、过热保护、空载保护、短路保护等。锂电池保护电路由两个场效应管和专用保护集成块组成，过充电控制管FET2和过放电控制管FET1串联于电路

什么是LDO？LDO即lowdropoutregulator，是一种低压差线性稳压器。这是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78XX系列的芯片都要求输入电压要比输出电压至少高出2V~3V，否则就不能正常工作。LDO是lowdropoutregulator，意为低压差线性稳压器，是相对于传统的线性稳压器来说的。

接地电流或静态电流 （IGND 或 IQ）、电源波纹抑止比 （PSRR）、噪声与封装大小通常是为便携式应用决定最佳LDO选择的要素。在选择低压降线性调节器（LDO） 时，需要考虑的基本问题包括输入电压范围、预期输出电压、负载电流范围以及其封装的功耗能力。

以碳化硅为代表的第三代宽带隙半导体，能在更高的温度、电压和频率环境下正常工作，同时耗电更少，耐久性和可靠性更强，将为下一代更小尺寸、更快速度、更低成本，更高效的电力电子产品。碳化硅电力电子器件技术的进步和产业化将在高压电力系统中开辟新的应用领域