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电子知识

一文详解LDO芯片四大重要参数

作者:立深鑫电子        发布时间:06-05        点击:
摘要 : 在电子设计中,我们经常需要用到不同的直流电压给不同器件供电,其中用的最多的就是通过LDO芯片来实现得到不同的直流电压输出,因为成本低、性能好,且使用起来也很简单,让LDO芯片用的也越来越多,几乎每款电子产品里都有其身影。
在电子设计中,我们经常需要用到不同的直流电压给不同器件供电,其中用的最多的就是通过LDO芯片来实现得到不同的直流电压输出,因为成本低、性能好,且使用起来也很简单,让LDO芯片用的也越来越多,几乎每款电子产品里都有其身影。

LDO芯片
 
使用的极其广泛,但是说起LDO芯片的参数,大家都是一知半解,LDO芯片的参数如果不及时搞清楚,对于以后产品的选型都有很大的阻碍,今天就由立深鑫电子带领大家一起去探索LDO芯片的四大重要参数,看完之后,相信你会受益良多。

1、PSRR(电源电压抑制比)

PSRR是许多LDO芯片数据手册中的公共技术要求,有些手册里可能未列出该参数。它规定了某个频率的AC元件从输入到LDO芯片输出的衰减程度,通俗的讲,是指LDO输出对输入纹波噪声的抑制作用,这也是很多场合在DC/DC后级另加一颗LDO芯片的原因(特别是后面接模拟传感器或者ADC/DAC时)。

高PSRR的LDO芯片对输出纹波的抑制效果还是很明显的。

2、Transient response(动态性能)

一些应用场合,负载变化剧烈,那么这时候这个参数就非常重要了,除了通过增加输出电容来确保动态性能外,也尽量选用动态性能好的LDO芯片。

3、Thermal(温度性能)

大家都知道LDO芯片工作效率相对DC-DC稳压芯片而言很低,那怎么去校验一个LDO芯片是否合适呢?首先计算功耗Pd=(Vin-Vout)Iout,其次计算温升,一般芯片手册里会说明温度性能与温升的计算公式,总之一句话,不能因为LDO芯片带负载工作时在指定的工作温度范围内烧坏了。这里要强调的是不同的封装,其LDO芯片的温度性能是不一样的。

4、IQ(即静态电流)

一般电池供电的场合对静态电流会有比较高的要求,一般LDO芯片的静态电流的大小与芯片的其他性能成反关系,如低噪声,高电源电压抑制比,动态性能好的LDO芯片静态电流都偏大一些。低IQ的LDO芯片做的好的话,<100nA。

怎样?一个看似简单的LDO芯片没想到会有这么多性能指标要考虑吧,在好的设计精湛的设计里,每一个元器件的选用,所处位置,值为多少,什么型号,那都是重要而必要的,都有其科学性,不可随意替换。
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