一文详解LDO芯片四大重要参数
来源：立深鑫电子 发布时间：06-05 点击：
摘要 : 在电子设计中，我们经常需要用到不同的直流电压给不同器件供电，其中用的最多的就是通过LDO芯片来实现得到不同的直流电压输出，因为成本低、性能好，且使用起来也很简单，让LDO芯片用的也越来越多，几乎每款电子产品里都有其身影。
在电子设计中，我们经常需要用到不同的直流电压给不同器件供电，其中用的最多的就是通过LDO芯片来实现得到不同的直流电压输出，因为成本低、性能好，且使用起来也很简单，让LDO芯片用的也越来越多，几乎每款电子产品里都有其身影。
使用的极其广泛，但是说起LDO芯片的参数，大家都是一知半解，LDO芯片的参数如果不及时搞清楚，对于以后产品的选型都有很大的阻碍，今天就由立深鑫电子带领大家一起去探索LDO芯片的四大重要参数，看完之后，相信你会受益良多。
1、PSRR(电源电压抑制比)
PSRR是许多LDO芯片数据手册中的公共技术要求，有些手册里可能未列出该参数。它规定了某个频率的AC元件从输入到LDO芯片输出的衰减程度，通俗的讲，是指LDO输出对输入纹波噪声的抑制作用，这也是很多场合在DC/DC后级另加一颗LDO芯片的原因（特别是后面接模拟传感器或者ADC/DAC时）。
高PSRR的LDO芯片对输出纹波的抑制效果还是很明显的。
2、Transient response(动态性能)
一些应用场合，负载变化剧烈，那么这时候这个参数就非常重要了，除了通过增加输出电容来确保动态性能外，也尽量选用动态性能好的LDO芯片。
3、Thermal（温度性能）
大家都知道LDO芯片工作效率相对DC-DC稳压芯片而言很低，那怎么去校验一个LDO芯片是否合适呢？首先计算功耗Pd=（Vin-Vout）Iout，其次计算温升，一般芯片手册里会说明温度性能与温升的计算公式，总之一句话，不能因为LDO芯片带负载工作时在指定的工作温度范围内烧坏了。这里要强调的是不同的封装，其LDO芯片的温度性能是不一样的。
4、IQ（即静态电流）
一般电池供电的场合对静态电流会有比较高的要求，一般LDO芯片的静态电流的大小与芯片的其他性能成反关系，如低噪声，高电源电压抑制比，动态性能好的LDO芯片静态电流都偏大一些。低IQ的LDO芯片做的好的话，<100nA。
怎样？一个看似简单的LDO芯片没想到会有这么多性能指标要考虑吧，在好的设计精湛的设计里，每一个元器件的选用，所处位置，值为多少，什么型号，那都是重要而必要的，都有其科学性，不可随意替换。
