快速识别MOS管与IGBT管的诀窍
来源：立深鑫电子 发布时间：06-05 点击：
摘要 : MOS管和IGBT管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件，因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是MOS管和IGBT管由于外形及静态参数相似的很，有时在选择、判断、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的识别方法为选择、判断、使用扫清障碍!
MOS管和IGBT管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件，因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是MOS管和IGBT管由于外形及静态参数相似的很，有时在选择、判断、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的识别方法为选择、判断、使用扫清障碍!
一、MOS管定义：
MOS管即MOSFET，中文名金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。其特性，输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性。
二、IGBT管定义：
IGBT中文名绝缘栅双极型场效应晶体管，是MOS管与晶体三极管的组合，MOS是作为输入管，而晶体三极管作为输出管。于是三极管的功率做的挺大，因此两者组合后即得到了MOS管的优点又获得了晶体三极管的优点。
综上所述的两种晶体管，是目前电子设备使用频率很高的电子元器件，两者在外形及静态参数极其相似，某些电子产品是存在技术垄断，在电路中有时它们的型号是被擦掉的，截止目前，它们在命名标准及型号统又没有统一标准，而外型及管脚的排列相似，根本无规律可循，成为维修过程中的拦路虎，如何区分和判断成为必要手段。
三、MOS管和IGBT管的辨别：
带阻尼的NPN型IGBT管与N沟道增强型MOS管的识别带阻尼的NPN型IGBT管与N沟道增强型MOS管它们的栅极位置一样，IGBT管的C极位置跟MOS管的D极位置相对应，IGBT管的e极位置跟MOS管的S极位置相对应，对它们的好坏判断及及区分可以用动静态测量方法来完成。
