造成MOSFET发热严重的因素有哪些？
来源：网络 发布时间：09-01 点击：
摘要 : 在开关电源电路中，MOSFET作为最核心的器件，却也是最容易发热烧毁的，那么MOSFET到底承受了什么导致发热呢？本文来带你具体分析。电路设计问题，MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态，MOS管导通过程时间过长导致，如图3所示为开关管导通过程。
在开关电源电路中，MOSFET作为最核心的器件，却也是最容易发热烧毁的，那么MOSFET到底承受了什么导致发热呢？本文来带你具体分析。
MOSFET发热影响因素
MOS管的数据手册中通常有以下参数：导通阻抗RDS（ON），栅极（或驱动）电压 VGS 以及流经开关的电流漏源极电流ID，RDS（ON）与栅极（或驱动） 电压VGS 以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS（ON）是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。除此之外，慢慢升高的结温也会导致RDS（ON）的增加。随着RDS的增加，导致功率管的损耗增加，从而导致发热现象，这也是MOSFET发热的根本原因。
那么总结导致发热的主要因素主要有以下几点：
电路设计问题，MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态，MOS管导通过程时间过长导致，如图3所示为开关管导通过程。例如：让N-MOS做开关，G级电压就要比电源高几V才能完全导通，而P-MOS则相反。没有完全导通，由于等效直流阻抗较大，所以压降增大，Vds*Id也增大，从而造成损耗过大导致发热。
功率管的驱动频率太高，频率与导通损耗也成正比，所以功率管发热时，首先要想想是不是频率选择的有点高。主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大。
功率管选型不当，导通阻抗(RDS(ON))确实是最为关键品质因素，然而开关损耗与功率管的cgd和cgs也有关，大部分工程师会优先选用低导通电阻的MOS管，然而内阻越小，cgs和cgd电容越大，所以选择功率管时够用就行，不能选择太小的内阻。
通过漏极和源极的导通电流ID过大，造成这样的原因主要是没有做好足够的散热设计，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。
