MOS管种类、结构、导通特性、开关管丢失
来源：网络 发布时间：08-31 点击：
摘要 : MOSFET管是 FET的一种（另一种是 JFET），能够被制作成增强型或耗尽型， P沟道或 N 沟道共 4 品种型，但实践运用的只需增强型的 N沟道 MOS管和增强型的 P 沟道 MOS管，所以一般说到 NMOS，或许 PMOS指的便是这两种。
MOS管品种和结构
MOSFET管是 FET的一种（另一种是 JFET），能够被制作成增强型或耗尽型， P沟道或 N 沟道共 4 品种型，但实践运用的只需增强型的 N沟道 MOS管和增强型的 P 沟道 MOS管，所以一般说到 NMOS，或许 PMOS指的便是这两种。
至于为什么不运用耗尽型的 MOS管，不主张寻根究底。
关于这两种增强型 MOS管，比较常用的是 NMOS。原因是导通电阻小，且简单制作。所以开关电源和马达驱动的运用中，一般都用 NMOS。下面的介绍中，也多以 NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是咱们需求的，而是因为制作工艺约束发生的。寄生电容的存在使得在规划或挑选驱动电路的时分要麻烦一些，但没有方法避免，后边再具体介绍。
在 MOS管原理图上能够看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动理性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的 MOS管中存在，在集成电路芯片内部一般是没有的。
MOS管导通特性
导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性， Vgs 大于必定的值就会导通，适宜用于源极接地时的状况（低端驱动），只需栅极电压到达 4V 或 10V 就能够了。
PMOS的特性， Vgs 小于必定的值就会导通，适宜用于源极接 VCC时的状况（高端驱动）。可是，尽管 PMOS能够很方便地用作高端驱动，但因为导通电阻大，价格贵，替换品种少等原因，在高端驱动中，一般还是运用 NMOS。
MOS开关管丢失
不管是 NMOS还是 PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。挑选导通电阻小的 MOS管会减小导通损耗。现在的小功率 MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时分，必定不是在瞬间完结的。 MOS两头的电压有一个下降的进程，流过的电流有一个上升的进程，在这段时刻内， MOS管的丢失是电压和电流的乘积，叫做开关丢失。一般开关丢失比导通丢失大得多，而且开关频率越快，丢失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，形成的丢失也就很大。缩短开关时刻，能够减小每次导通时的丢失；下降开关频率，能够减小单位时刻内的开关次数。这两种方法都能够减小开关丢失。
