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电子知识

一文让你秒懂场效应晶体管的所有参数

作者:立深鑫电子        发布时间:06-04        点击:
摘要 : 电子元器件市场中,以场效应晶体管最受电子工程师的青睐与喜爱,可是对于场效应晶体管的参数,大家都是一筹莫展,因为场效应晶体管的参数有很多,其中包括直流参数、交流参数和极限参数等,但普通运用时只需关注以下主要参数
电子元器件市场中,以场效应晶体管最受电子工程师的青睐与喜爱,可是对于场效应晶体管的参数,大家都是一筹莫展,因为场效应晶体管的参数有很多,其中包括直流参数、交流参数和极限参数等,但普通运用时只需关注以下主要参数:饱和漏源电流IDSS夹断电压Up,(结型管和耗尽型绝缘栅管,或开启电压UT(加强型绝缘栅管)、跨导gm、漏源击穿电压BUDS、耗散功率PDSM和漏源电流IDSM。

场效应晶体管

(1)饱和漏源电流

饱和漏源电流IDSS是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流。

(2)夹断电压

夹断电压UP是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。如同4-25所示为N沟道管的UGS一ID曲线,可明白看出IDSS和UP的意义。

(3)开启电压

开启电压UT是指加强型绝缘栅场效应晶体管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。

(4)跨导

跨导gm是表示栅源电压UGS对漏极电流ID的控制才能,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。9m是权衡场效应晶体管放大才能的重要参数。

(5)漏源击穿电压

漏源击穿电压BUDS是指栅源电压UGS一定时,场效应晶体管正常工作所能接受的漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应晶体管上的工作电压必需小于BUDS。

(6)耗散功率

耗散功率PDSM也是—项极限参数,是指场效应晶体管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率。运用时场效应晶体管实践功耗应小于PDSM并留有—定余量。

(7)漏源电流

漏源电流IDSM是另一项极限参数,是指场效应晶体管正常工作时,漏源间所允许经过的电流。场效应晶体管的工作电流不应超越IDSM。