碳化硅肖特基二极管有什么特性？
来源：立深鑫电子 发布时间：01-20 点击：
摘要 : MOSFET，无论是SiCMOSFET还是其他，在漏极和源极之间都有一个二极管，如图所示。作为MOSFET结构的结果，二极管由源极和漏极之间的pn结形成，也被称为寄生二极管或内部二极管。二极管的性能是MOSFET的一个重要参数，在实际应用中对MOSFET的性能有着重要的影响。
MOSFET，无论是SiCMOSFET还是其他，在漏极和源极之间都有一个二极管，如图所示。作为MOSFET结构的结果，二极管由源极和漏极之间的pn结形成，也被称为寄生二极管或内部二极管。二极管的性能是MOSFET的一个重要参数，在实际应用中对MOSFET的性能有着重要的影响。
碳化硅肖特基二极管的正向特性
下面的mos-SiC特性图显示了mos-SiC的特性。以源极为基准，向漏极施加负电压，二极管处于正向偏置状态。在图中，Vgs=0V的绿色轨迹显示了主二极管的Vf特性。Vgs为0v，即MOSFET处于关断状态并且没有沟道电流流动，因此在这些条件下Vd-Id特性可以说是二极管的Vf-If特性。正如在“什么是碳化硅”一节中所解释的那样？与Si-mosfet相比，SiC具有较大的禁带宽度和极高的Vf。
另一方面，当通过栅极和源极施加18v电压使sicmosfet导通时，在电阻较低的沟道中流动的电流占主导地位，而不是二极管。下面显示了MOSFET横截面图，以帮助理解这些不同状态的结构方面。
碳化硅肖特基二极管的反向恢复特性！
MOSFET二极管的另一个重要特性是反向恢复时间（trr）。先前在SiC肖特基势垒二极管一节中解释过，trr是与二极管开关特性有关的一个重要参数。当然，因为MOSFET的二极管有pn结，所以会出现反向恢复现象，这就是反向恢复时间（trr）。
下面比较了额定电压为1000v的Si-MOSFET和SCT2080KE-SiC-MOSFET的trr特性。
如我们所见，本例中的Si-MOSFET的trr很长，并且有很大的电流Irr流动。相比之下，SCT2080KESiCMOSFET的二极管速度非常快。trr和Irr都很小，可以忽略不计，回收损失Err大大降低。
碳化硅肖特基关键点：
碳化硅肖特基二极管的正向特性Vf比SiMOSFET高。
碳化硅肖特基二极管的trr很快，相对于SiMOSFET，恢复损耗可以降低。
