电子元器件知识之三极管
来源：立深鑫电子 发布时间：12-23 点击：
摘要 : 三极管也称双极型晶体管、晶体三极管，分为PNP和NPN两种形式，是一种控制电流的半导体器件,其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。大功率三极管是相对于小功率三极管而言的，其集电极耗散功率高于1W。
大功率三极管
知识介绍：三极管也称双极型晶体管、晶体三极管，分为PNP和NPN两种形式，是一种控制电流的半导体器件,其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。大功率三极管是相对于小功率三极管而言的，其集电极耗散功率高于1W。
选型建议：使用于高频发射电路，需要考虑大功率三级管的特征频率。一般设计稳定工作时Pcm不可超过额定的70%，Icm不可超过额定的70%，Vceo不超过额定的2/3。
小功率三极管
知识介绍：三极管也称双极型晶体管、晶体三极管，分为PNP和NPN两种形式，是一种控制电流的半导体器件,其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。小功率三极管是相对于大功率三极管而言的，其集电极耗散功率低于1W。
达林顿管
知识介绍：达林顿是指两个三极管在一起的组合方式，被广泛应用在大功率开关、脉冲电动机驱动和电感负载开关。
可控硅（单向可控硅）
知识介绍：单向可控硅是一种可控整流电子元件，是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，具有单个方向导通、关断的特性，常应用于整流、振荡器及交流负载控制。
选型建议：
1.选用的可控硅的额定通态平均电流值应比流过可控硅的实际电流有效值大1.5～2倍，使之有一定的安全余量
2.可控硅承受电压的能力较差，选择时要考虑2～3倍的系数
3.可控硅各项参数都与温度有很大关系，为降低可控硅的温升，应选用正向压降较小的器件
场效应管（绝缘栅场效应管（MOS））
知识介绍：场效应管是通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。绝缘栅场效应管（N沟道为例）是在一块P型硅衬底上，扩散两个高浓度掺杂的N+区，在两个N+区之间的硅表面上制作一层很薄的SiO2绝缘层，然后在SiO2和两个N型区表面上分别引出三个电极，称为源极s、栅极g和漏极d，常称为MOS管，它具有比结型场效应管更高的输入阻抗，有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，常被用于放大电路或开关电路。
选型建议：
1.根据额定电压和峰值电流确定漏极至源极间可能承受的最大电压和漏极电流
2.根据半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温计算是否符合散热要求
场效应管（结型场效应管（JFET））
知识介绍：场效应管是通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。结型场效应管，简称J-FET，有N沟道和P沟道两类，JFET（P沟道为例）是在同一块N形半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，所引出的电极称为栅极g，漏极d，源极s。结型场效应管均为耗尽型，有N沟道和P沟道两种类型，但其输入电阻不及mos场效应管。可应用于放大，阻抗变换，电子开关及恒流源等。
选型建议：
1.根据额定电压和峰值电流确定漏极至源极间可能承受的最大电压和漏极电流
2.根据半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温计算是否符合散热要求
场效应管（IGBT）
知识介绍：IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流负载控制。
数字晶体管
知识介绍：数字晶体管（Digital Transistor），是带电阻的晶体管，是将一只或两只电阻器与晶体管连接后封装在一起构成的，常用作开关管来使用。
复合管
知识介绍：复合管是将两个和更多个晶体管或场效应管连在一起而构成具有一定功能的晶体管。
可控硅（双向可控硅）
知识介绍：双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成，其三端分别为T1 (第二端子或第二阳极)，T2(第一端子或第一阳极)和G(控制极)，具有两个方向轮流导通、关断的特性，主要用于交流负载控制。
选型建议：
1.选用的可控硅的额定通态平均电流值应比流过可控硅的实际电流有效值大1.5～2倍，使之有一定的安全余量
2.可控硅承受电压的能力较差，选择时要考虑2～3倍的系数
3.可控硅各项参数都与温度有很大关系，为降低可控硅的温升，应选用正向压降较小的器件
