绝缘型场效应管的栅极与源极、栅极和漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，因此而得名。又因栅极爲金属铝，故又称爲MOS管。它的栅极-源极之间的电阻比结型场效应管大得多，可达1010Ω以上，还由于它比结型场效应管温度动摇性好、集成化时温度复杂，而普遍运用于大规模和超大规模集成电路中。
 

与结型场效应管相反，MOS管义务原理动画表示图也有N沟道和P沟道两类，但每一类又分爲增强型和耗尽型两种，因此MOS管的四种类型爲：N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。凡栅极-源极电压UGS爲零时漏极电流也爲零的管子均属于增强型管，凡栅极-源极电压UGS爲零时漏极电流不爲零的管子均属于耗尽型管。
 

根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止形状，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，构成导电沟道。
 

N沟道增强型MOS管基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺分散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作爲栅极G。

当VGS=0 V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间构成电流。

当栅极加有电压时，若0时，经过栅极和衬底间构成的电容电场作用，将接近栅极下方的P型半导体中的多子空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层;同时将吸引其中的少子向表层运动，但数量有限，缺乏以构成导电沟道，将漏极和源极沟通，所以仍然缺乏以构成漏极电流ID。
 

进一步添加VGS，当VGS>VGS(th)时( VGS(th)称爲开启电压)，由于此时的栅极电压已经比较强，在接近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，可以构成沟道，将漏极和源极沟通。假设此时加有漏源电压，就可以构成漏极电流ID。在栅极下方构成的导电沟道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反,故称爲反型层。随着VGS的继续添加,ID将不时添加。在VGS=0V时ID=0，只需当VGS>VGS(th)后才会出现漏极电流，所以,这种MOS管称爲增强型MOS管。

VGS对漏极电流的控制关系可用iD=f(VGS(th))|VDS=const这一曲线描画，称爲转移特性曲线，MOS管义务原理动画见图1.

转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制造用。 gm的量纲爲mA/V，所以gm也称爲跨导。