3种常用的MOS管驱动方式
来源：立深鑫电子 发布时间：11-11 点击：
摘要 : 驱动方式是对简易方式的一种初步改进,它不但能降低TTL器件的功率耗散,也能保证较高的开通速度。驱动方式可进一步改善驱动性能,不但关断时间可以进一步缩短,开通时间与关断时间的差别也通过互补电路而消除。
驱动方式是对简易方式的一种初步改进,它不但能降低TTL器件的功率耗散,也能保证较高的开通速度。驱动方式可进一步改善驱动性能,不但关断时间可以进一步缩短,开通时间与关断时间的差别也通过互补电路而消除。同时,在这种驱动方式中的两个外接晶体管起着射极跟随器的作用,因而功率MOSFET永远不会被驱动到饱和区。由于互补方式增加了驱动功率,这种方式更适合于大功率MOSFET的驱动。
而这种方式可以产生足够高的栅压使器件充分导通,并保证较高的关断速度。由于外接负载电阻RL须有一定大小,以限制TTL的低电平输出晶体管的功率耗散,因而这种驱动方式的开通速度不够高。不过,对感性负载的开关电路来说,出于对动态损耗的考虑,关断速度的重要性就是要强一些。
MOS管是一种电压型控制器件，具有开关速度快，输入阻抗高，驱动功率小等一系列优点
常见的MOS管驱动方式有以下几种
1、直接驱动
2、推挽驱动
当驱动IC的驱动能力不足时，我们采用推挽驱动，这中驱动方式不仅增加了驱动能力，而且也加速了关断时间
3、变压器驱动会
MOS管使用变压器驱动，不仅实现电气隔离，而且驱动速度也快，但是使用变压器驱动时，MOS管的占空比不能大于50%，否则变压器饱和。
