您好,欢迎来到深圳市立深鑫电子有限公司
联系热线:0755-23108363
新闻资讯 Product list
服务热线 0755-23108363 联系我们
电子知识

三极管驱动MOS场效应时需要注意的几点

作者:立深鑫        发布时间:10-14        点击:
摘要 : MOS场效应管是一种电压驱动器件,要想使其充分导通,要求其栅极驱动电压的幅度要足够大,而一些低压IC电路(譬如3.3V供电的单片机电路)输出幅度较小,直接用来驱动MOS场效应管,根本无法使管子完全导通。
三极管和MOS管的基本特性

三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管(简称P型三极管)和PNP型三极管(简称N型三极管)两种

MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管(简称PMOS)和N沟道MOS管(简称NMOS)

三极管驱动MOS管

可以直接驱动。由于MOS场效应管是一种电压驱动器件,要想使其充分导通,要求其栅极驱动电压的幅度要足够大,而一些低压IC电路(譬如3.3V供电的单片机电路)输出幅度较小,直接用来驱动MOS场效应管,根本无法使管子完全导通。为解决此问题,常加一级双极型三极管驱动电路来驱动MOS场效应管,其电路如下图所示。


三极管驱动MOS管电路图

上图中,VT1为NPN型三极管,其基极输入信号的幅度只有5V,而MOS场效应管VT2的开启电压较高,要想使其充分导通,其栅极驱动电压一般要求≥10V。为了能驱动MOS场效应管导通,电路中加了一级三极管电路,当VT1基极为5V高电平时,VT1导通,VT2截止;当VT1基极为低电平0V时,VT1截止,其集电极的10V电压(Rc上的压降几乎为零,可以忽略不计)直接加至VT2的G极(即栅极),这样便可以使VT2获得足够的栅极电压而导通。

在用三极管驱动MOS场效应管时,需要注意MOS场效应管栅极所接电阻(即上图中的Rc)的取值。若MOS场效应管的开关速度很低,此时Rc可以选用上百KΩ的电阻,这样可以减小驱动电路的耗电。若MOS场效应管工作于高速开关状态,此时Rc不宜取值过大,否则MOS场效应管栅源电容充放电的时间较长,会影响MOS场效应管的开关速度,此时Rc一般选用几KΩ的电阻。