新型谷电子器件方面取得最新成果
来源：立深鑫电子 发布时间：09-02 点击：
摘要 : 现代半导体器件主要依赖电荷实现对信息的表达、存储、传输和处理。在此基础上，以晶体管作为基本单元，通过控制电荷流，完成信息的处理与计算等功能。然而随着摩尔定律接近其极限，传统的晶体管器件已进入其发展瓶颈。
现代半导体器件主要依赖电荷实现对信息的表达、存储、传输和处理。在此基础上，以晶体管作为基本单元，通过控制电荷流，完成信息的处理与计算等功能。然而随着摩尔定律接近其极限，传统的晶体管器件已进入其发展瓶颈。如何利用新原理、新结构和新材料来解决和优化传统半导体器件中的尺寸微缩和能耗等问题是“后摩尔”时代半导体技术的发展重点。
沿着这一思路，南京大学电子科学与工程学院王肖沐/施毅课题组同浙江大学信息与电子工程学院徐杨课题组以及北京计算科学研究中心紧密合作，基础探索结合应用研究，提出和实现了一种"能谷自旋"晶体管新颖器件。该器件以能谷自旋自由度替代电荷作为信息编码的载体，能谷自旋器件中数据的操作和传输可以不涉及电荷流，从而有望实现超低功耗的功能器件。
“能谷”是指半导体材料能量-动量色散关系中的极值点，虽然人们很早意识到，能谷自旋（“能谷”的量子指标）可以像电荷或自旋等自由度一样表达信息，但由于能谷很难通过外场操控，目前很难利用能谷自旋制作晶体管等器件。
合作团队利用不对称等离激元纳米天线中的光学手性，实现电磁场与过渡金属硫族化合物中能谷自旋的可控相互作用，并结合材料中的手性贝瑞曲率，在器件级别上实现了谷信息的产生、传输、探测和开关操作。这一能谷自旋晶体管对能谷信息的注入，传输和探测过程进行了优化和改进，使得能谷信息流得以在零偏置电压下独立于电荷流进行传输和调控。并且该器件单元有望通过类似于CMOS电路的构造方式集成形成特定逻辑功能的超低功耗谷电子电路。
图1 能谷晶体管器件的示意图。a器件由过渡金属硫族化合物二硫化钼沟道，新月形不对称金纳米天线和四个金电极组成，制作在硅/二氧化硅衬底上。插图说明了在源极和漏极处光场在二硫化钼中选择性注入不同能谷自旋流的过程，以及硅背栅对能谷自旋流的开关作用。产生的能谷自旋流通过能谷霍尔效应，被横向的霍尔电极读出，产生输出信号。b.能谷自旋流在二硫化钼中产生的具体原理。
图2 能谷晶体管测试结果。a 能谷自旋晶体管的扫描霍尔电压图像。1550nm的激光作为"能谷自旋激发源"在一个典型的能谷自旋晶体管上扫描，并记录该位置的能谷霍尔输出电压。当激光位于源或漏电极时，产生相反地能谷霍尔输出信号。b 能谷霍尔输出电压随偏置电压的输出曲线。c 能谷输出霍尔电压随硫化钼沟道电流的变化，可以看到能谷自旋流与电流无关。d 能谷晶体管的转移特性曲线。仅靠光场激发，能谷晶体管的输出电压可以通过栅压实现开关操作。由于无偏置电压，沟道电流非常小，整个器件展示出了极低的功耗。
在这项工作中，合作团队首先制作了具有霍尔电极结构的单层硫化钼场效应晶体管。通过转移的方式将新月形不对称等离激元纳米金天线转移到器件上（图1a）。在电极处，这一不对称等离激元纳米金天线的头部和尾部分别与源漏电极对准。在等离激元共振频率1550 nm光的照射下，新月形的等离激元纳米天线可以在空间上分离具有不同自旋角动量的光子。
二硫化钼的六边形的布里渊区角落，具有两种不同的能谷自旋指标。依赖不同的对准方式，在源漏电极与硫化钼接触的肖特基结处，不同自旋角动量的光子激发的热电子会注入特定的能谷，从而产生一种特定能谷自旋流（图1b）。
这一谷自旋流可以通过漂移或扩散的方式进行传输并通过横向的霍尔电极被读出。类似于电荷器件，该谷电子器件也可以通过背栅进行选通和关断。从该能谷自旋晶体管的扫描霍尔电压图像上（图2a）可以看到当激光位于源或漏电极时，会产生相反的能谷霍尔输出信号（图2b）。
该谷霍尔电压随着沟道电压的增大而接近线性的增大，符合典型的谷霍尔信号随着偏置电压的变化规律。而对于不在等离激元共振频率的入射光的激发下（532 nm），没有观察到霍尔电压信号。值得一提的是，在这一谷电子器件中，谷自旋流是独立于电荷流的 （图2c）。
因此，在无偏置电压的情况下，仅靠光场激发，能谷晶体管的仍然可以输出霍尔电压信号，这一信号可以通过栅压实现开关操作。由于无偏置电压，沟道电流非常小，整个器件展示出了极低的功耗。此外，由于不涉及到电荷流，传统的电荷流器件在发展中遇到的很多瓶颈问题也可以得以解决。该项成果首次提出了一种室温工作的能谷自旋的基本单元器件，这为后摩尔时代的新型谷信息器件的发展奠定了基础，展示了能谷信息器件应用于未来集成电路的可能。
