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电子知识

详解MOS管导通电压、导通条件和过程

作者:立深鑫电子        发布时间:08-07        点击:
摘要 : 场效应管导通与截止由栅源电压来操控,关于增强场效应管方面来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压。一般2V~4V就OK了。
场效应管导通与截止由栅源电压来操控,关于增强场效应管方面来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压。一般2V~4V就OK了。

n沟道mos管导通电压导通过程

导通时序可分为to~t1、t1~t2、 t2~t3 、t3~t4四个时间段,这四个时间段有不同的等效电路。

1)t0-t1:C GS1 开始充电,栅极电压还没有到达V GS(th),导电沟道没有形成,MOSFET仍处于关闭状态。

2)[t1-t2]区间, GS间电压到达Vgs(th),DS间导电沟道开始形成,MOSFET开启,DS电流增加到ID, Cgs2 迅速充电,Vgs由Vgs(th)指数增长到Va。

3)[t2-t3]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应,Cgd电容大大增加,栅极电流持续流过,由于C gd 电容急剧增大,抑制了栅极电压对Cgs 的充电,从而使得Vgs 近乎水平状态,Cgd 电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小。

4)[t3-t4]区间,至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压,Millier效应影响变小,Cgd 电容变小并和Cgs 电容一起由外部驱动电压充电, Cgs 电容的电压上升,至t4时刻为止.此时C gs 电容电压已达稳态,DS间电压也达最小,MOSFET完全开启。


MOS管电路图

1、P沟道MOS管导通电压规格

俗称耐压,至少应该为主绕组的3倍,需求留意的是,主绕组的电压指的是图2.6中的N2或者N3,而不是二者相加。详细而言,图中为10.5V,因而Q1、Q2的电压规格至少为31.5V,思索到10%的动摇和1.5倍的保险系数,则电压规格不应该低于31.5 X 1.1X 1.5=52V。图中的2SK2313的电压规格为60v,契合请求。

其次,依据普通经历,电压规格超越200V的VMOS,饱和导通电阻的优势就不明显了,而本钱却比二极管高得多,电路也复杂。因而,用作同步整流时,主绕组的最高电压不应该高于40V。

2、电流规格(In)

这个问题主要与最大耗散功率有关,由于计算办法复杂并且需求实验停止验证,因而也能够直接用理论办法进行肯定,即在实践的工作环境中,依照最极端的最高环境温度,比方夏天比拟热的温度,如35℃,依据实践所需求的工作电流,接上适宜的假负载,连续工作2小时左右,假如MOS管散热片(TAB)不烫手,就根本上能够运用。这个办法固然粗略,但是很简单适用。

3、mos饱和导通电阻(RDS(ON))

越小越好,典型值最好小于10mQ,这个数值以从技术手册上查到。