详解MOS管导通电压、导通条件和过程
来源：立深鑫电子 发布时间：08-07 点击：
摘要 : 场效应管导通与截止由栅源电压来操控，关于增强场效应管方面来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就OK了。
场效应管导通与截止由栅源电压来操控，关于增强场效应管方面来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就OK了。
n沟道mos管导通电压导通过程
导通时序可分为to~t1、t1~t2、 t2~t3 、t3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。
1）t0-t1：C GS1 开始充电，栅极电压还没有到达V GS（th），导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。
2）[t1-t2]区间, GS间电压到达Vgs（th），DS间导电沟道开始形成，MOSFET开启，DS电流增加到ID, Cgs2 迅速充电，Vgs由Vgs（th）指数增长到Va。
3）[t2-t3]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应，Cgd电容大大增加,栅极电流持续流过，由于C gd 电容急剧增大，抑制了栅极电压对Cgs 的充电,从而使得Vgs 近乎水平状态，Cgd 电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小。
4）[t3-t4]区间,至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压,Millier效应影响变小，Cgd 电容变小并和Cgs 电容一起由外部驱动电压充电, Cgs 电容的电压上升,至t4时刻为止.此时C gs 电容电压已达稳态,DS间电压也达最小，MOSFET完全开启。
1、P沟道MOS管导通电压规格
俗称耐压，至少应该为主绕组的3倍，需求留意的是，主绕组的电压指的是图2.6中的N2或者N3，而不是二者相加。详细而言，图中为10.5V，因而Q1、Q2的电压规格至少为31.5V，思索到10%的动摇和1.5倍的保险系数，则电压规格不应该低于31.5 X 1.1X 1.5＝52V。图中的2SK2313的电压规格为60v，契合请求。
其次，依据普通经历，电压规格超越200V的VMOS，饱和导通电阻的优势就不明显了，而本钱却比二极管高得多，电路也复杂。因而，用作同步整流时，主绕组的最高电压不应该高于40V。
2、电流规格(In)
这个问题主要与最大耗散功率有关，由于计算办法复杂并且需求实验停止验证，因而也能够直接用理论办法进行肯定，即在实践的工作环境中，依照最极端的最高环境温度，比方夏天比拟热的温度，如35℃，依据实践所需求的工作电流，接上适宜的假负载，连续工作2小时左右，假如MOS管散热片(TAB)不烫手，就根本上能够运用。这个办法固然粗略，但是很简单适用。
3、mos饱和导通电阻(RDS（ON）)
越小越好，典型值最好小于10mQ，这个数值以从技术手册上查到。
