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电子知识

MOS管和IGBT管的区别在哪里?

作者:立深鑫电子        发布时间:07-02        点击:
摘要 : IGBT实际就是MOS管和晶体管三极管的组合,MOS管存在导通电阻高的缺点,但IGBT克服了这一缺点,在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。
什么是MOS管?

MOS管即MOSFET,中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离,所以又叫绝缘栅场效应管。

MOS管又可分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。


MOS管

有的MOS管内部会有个二极管,这是体二极管,或者叫寄生二极管、续流二极管。

什么是IGBT管?

IGBT管(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。


MOS管

IGBT管的电路符号至今并未统一,画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号,这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。

IGBT管内部的体二极管并非寄生的,而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的,又称为FWD(续流二极管)。

MOS管和IGBT管的结构特点?

MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。


MOS管

IGBT是通过在MOS管的漏极上追加层而构成的。

IGBT的理想等效电路如下图所示,IGBT实际就是MOS管和晶体管三极管的组合,MOS管存在导通电阻高的缺点,但IGBT克服了这一缺点,在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。

另外,相似功率容量的IGBT和MOS管,IGBT的速度可能会慢于MOS管,因为IGBT存在关断拖尾时间,由于IGBT关断拖尾时间长,死区时间也要加长,从而会影响开关频率。